EEPROM (Elektriskt raderbart programmerbart skrivskyddat minne) och
Flash minne är båda icke-flyktiga minnesteknologier, vilket innebär att de kan lagra data även när strömmen är borta. Det finns dock några viktiga skillnader mellan de två teknikerna.
* EEPROM är en typ av skrivskyddat minne som kan raderas och programmeras om flera gånger. Emellertid är raderings-/skrivcykeltiden för EEPROM relativt långsam, vanligtvis i storleksordningen millisekunder eller till och med sekunder.
* Flash minne, å andra sidan, är en typ av icke-flyktigt minne som kan raderas och omprogrammeras mycket snabbare än EEPROM. Cykeltiderna för att radera/skriva flashminnen är vanligtvis i storleksordningen mikrosekunder eller till och med nanosekunder.
En annan skillnad mellan EEPROM och Flash-minne är antalet raderings-/skrivcykler som varje teknik tål. EEPROM är vanligtvis klassificerat för 10 000 till 100 000 raderings-/skrivcykler, medan flashminne vanligtvis är klassat för 100 000 till 1 000 000 raderings-/skrivcykler.
Slutligen skiljer sig EEPROM och Flash-minne i sin kostnad per bit. EEPROM är vanligtvis dyrare än Flash-minne, även om kostnaden per bit för båda teknikerna har sjunkit de senaste åren.
I allmänhet är EEPROM bäst lämpad för applikationer där data behöver lagras och nås sällan, såsom i konfigurationsinställningar eller kalibreringsdata. Flash-minne är bäst lämpat för applikationer där data behöver lagras och nås snabbt, till exempel i inbyggda system eller USB-enheter.
Här är en tabell som sammanfattar de viktigaste skillnaderna mellan EEPROM och Flash-minne:
| Funktion | EEPROM | Flash |
|---|---|---|
| Radera/skriv cykeltid | Millisekunder till sekunder | Mikrosekunder till nanosekunder |
| Antal raderings-/skrivcykler | 10 000 till 100 000 | 100 000 till 1 000 000 |
| Kostnad per bit | Dyrare | Billigare |
| Bäst lämpad för | Applikationer där data behöver lagras och nås sällan | Applikationer där data behöver lagras och nås snabbt |
